新闻资讯
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安博体育app官方网站-应用材料公司在华40周年 携精彩主题演讲亮相SEMICON China 2024
2024年时逢应用材料公司在华40周年,应用材料公司将继续参加3月20-22日在上海举行的SEMICON China。同时,集成电路科学技术大会(CSTIC)2024也将于3月17-18日在上海举办。应用材料公司将在两场盛会中发表多场主题演讲并展示多篇学术海报。伴随时代发展,半导体已成为电子信息产业
05/09/2025 -
安博体育app官方网站-Arteris 扩展面向 Armv9 架构 CPU 的汽车解决方案
亮点:-Arteris履行之前宣布的与Arm的合作,为基于Armv9和CHI-E的设计提供基于仿真的验证系统,加快汽车电子创新。-Arteris与Arm保持一致的路线图,为Arm的汽车增强型(AE)计算产品组合提供经过优化和预验证的高带宽、低延迟的Ncore缓存一致性互连IP,使设计人员能够更快地将
05/09/2025 -
安博体育app官方网站-【NAURA FURNACE GO】科技创新实现新突破,北方华创发布多款12英寸立式炉原子层沉积(ALD)设备
来源:北方华创极大规模先进集成电路制造技术不断演进,业界对相关薄膜生长设备在均匀性、台阶覆盖率及热预算等方面的要求日益提升。原子层沉积技术凭借出色的保型性、高台阶覆盖率和膜厚均匀性,在业界广受认可,但同时其沉积效率较低的弊端也亟待解决。立式炉批量处理特性很好地弥补了这一不足,奠定了立式炉原子层沉积设
05/09/2025 -
安博体育app官方网站-Syensqo携一系列聚合物解决方案亮相Semicon China 2024,推动芯片性能发展
满足快速发展的半导体行业对高性能、效率和可持续性的综合需求全球特种材料领导者Syensqo,曾隶属于索尔维集团,将在2024年上海国际半导体展览会(Semicon China 2024)上展示一系列的先进材料和服务,致力于满足半导体制造业的各种工艺需求。公司丰富的产品组合涵盖广泛的材料解决方案,不仅
05/08/2025 -
安博体育app官方网站-“阳春三月友相逢” Park亮相上海SEMICON CHINA 2024(3月20-3月22日)
来源:Park SystemsSEMICON CHINA 2024将于3月20-3月22日在上海举办,连续参展的Park Systems将以“创新 卓越 优质”为主题,携旗下的核心产品重磅亮相此展览会。公司简介速览Park Systems成立于1988年,是全球首个推出商业原子力显微镜产品的上市公司
05/08/2025 -
安博体育app官方网站-总投资约100亿元,苏州集成电路高端材料基地项目开工
据“苏州工业园区发布”消息,近日,苏州集成电路高端材料基地项目取得桩基施工许可证,实现“拿地即开工”。据悉,该项目位于吴淞江以东、海藏西路以南、东方大道以北、东石泾港路以西,总占地面积约192亩,预计总投资约100亿元,全部达产后预计每月生产50万片产品。本次先行开工的北地块占地面积约73.5亩,总
05/08/2025 -
安博体育app官方网站-长电科技:拟变更21亿元募投资金用于收购晟碟半导体
长电科技3月17日发布公告称,公司拟对“年产36亿颗高密度集成电路及系统级封装模块项目”、“年产100亿块通信用高密度混合集成电路及模块封装项目” ,以及“偿还银行贷款及短期融资券”等募投项目进行变更、延期。公告显示,年产36亿颗高密度集成电路及系统级封装模块项目原计划投入募集资金26.6亿元,已累
05/08/2025 -
安博体育app官方网站-最新的《Quantexa 决策智能平台路线图》(Quantexa Decision Intelligence Platform Roadmap) 重点是帮助企业和政府机构对数据进行准备
来源:QuantexaQuantexa 支持组织机构运用数据、分析和人工智能来解决信息孤岛问题的浪潮l通过和 Microsoft 合作,Quantexa 的决策智能平台可立即在 Microsoft Azure Marketplace 获取;公司致力于在 Azure 构建原生解决方案l技术预览展示了
05/08/2025 -
安博体育app官方网站-台积电、新思科技将英伟达计算光刻平台投入生产
近日,英伟达(NVIDIA)宣布台积电(TSMC)、新思科技(Synopsys)已将其计算光刻平台投入生产,以加速下一代先进半导体芯片的制造,突破物理极限。据悉,台积电与新思科技已将英伟达cuLitho技术与其软件、制造工业和系统集成,希望加快芯片制造速度,并帮助制造最新一代英伟达Blackwell
05/07/2025 -
安博体育app官方网站-我国科学家在铁电隧道结存储器研究中取得新进展
来源:科技日报记者从中国科学院金属研究所获悉,该所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员与合作者,提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的关联,并实现巨大器件开关比。相关研究成果以“外延应变调控铁电极化强度实现巨大
05/07/2025


